公司成立于2020年7月，项目位于长沙高新开发区，占地面积1000亩，总投资160亿元，主要从事宽禁带半导体的研发、设计、制造、销售和服务，产品与服务包括SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延、车规级SiC功率模块代工等，核心性能及可靠性符合行业高品质标准，服务于新能源汽车、光伏储能、充电桩、通信电源、服务器电源、家用电器、消费电子等领域的全球超800家客户，SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗。
       三安半导体拥有国内为数不多的SiC全产业链垂直整合制造服务平台，能提供长晶、衬底、外延、芯片、封测全流程制造服务，实现产品迭代、质量、交付的全方位管控；且产能规模、技术水平在全球同行业中具有竞争力，可有力保障供应，满足市场需求。
       公司已通过ISO9001、IATF16949、QC080000、ISO14001、ISO45001、ISO27001、ISO22301、ANSI/ESD S 20.20、SA8000管理体系认证，并导入VDA6.3过程审核方法，SiC MOSFET/SBD产品已获得AEC-Q101车规级认证。
       湖南三安半导体基地项目致力于建设具有自主知识产权的以碳化硅等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链研发制造基地，项目投产后其产品可广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、电源等领域
       2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目投产。2022年7月，湖南三安半导体基地项目二期开建。
       目前，三安在湖南长沙建设的碳化硅超级工厂，一期工程已量产，6吋SiC晶圆产能已达到30万片/年，二期工程预计24年底点亮通线，届时一期二期将共同贡献产能，完全达产后，整个项目总体将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。